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SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种基于第三代半导体材料（碳化硅，SiC）的高性能功率器件，相比传统硅基（Si）MOSFET和IGBT，具有以下优势：
更高耐压：击穿电场强度是硅的10倍，适合高压应用（600V~1700V及以上）。
更高效率：导通电阻低、开关损耗小，提升系统能效（尤其高频场景）。
更高工作温度：可在200°C以上环境稳定运行（硅器件通常≤150°C）。
更高开关频率：减少无源器件（电感、电容）体积，降低系统成本。
选型建议：电动汽车：优先1200V/1700V模块（如OBC、主逆变器）。
光伏/储能：选择低RDS(on)和高耐压型号（如650V/1200V）。
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